现在，国家2030方案和“十四五”国家研制方案已清晰第三代半导体是重要开展方向。

  方案在2021-2025年期间，举全国之力，在教育、科研、开发、融资、使用等等每个方面，大力支持开展第三代半导体工业，以期完成技能与出产独立，自给自足，不再受制于外部约束。

  以碳化硅为代表的第三代半导体开端逐渐遭到商场的注重，国际上已构成完好的掩盖资料，器材，模块和使用等环节的工业链，全球新一轮的工业晋级渐渐的开端。那究竟什么是第三代半导体呢？为啥说第三代半导体有望成为国产代替期望？

  第二代资料是砷化镓(GaAs)，为4G年代而生，现在大部分通讯设备资料。

  第三代半导体是5G、人工智能、工业互联网等多个“新基建”工业的重要资料，一起也是世界各国半导体研讨范畴的热门。

  硅作为集成电路最根底的资料，构筑了整个信息工业的最底层支撑。人类对硅功能的探究现已很老练，但是一些固有的缺陷却无法跨越，如光学功能、高压高频功能等。与此一起第三代半导体以其刚好补偿硅的缺乏而逐渐遭到半导体职业喜爱，成为继硅之后最有远景的半导体资料。

  第三代半导体资料首要可使用于光电、电力电子、和微波射频三大范畴。从当时来看，碳化硅现在首要是用在650V以上的高压功率器材范畴，而氮化镓首要是用在650V以下的中低压功率器材范畴及微波射频和光电范畴。不过未来，氮化镓也有时机进一步往600～900V开展。

  氮化镓是未来最具添加潜质的化合物半导体，能敏捷使用于变频器、稳压器、变压器、无线

  依据《2020年第三代功率半导体陈述》所计算，到2020年末全球SiC 和GaN功率半导体的出售的收益估计将从2018年的5.71亿美元增至8.54亿美元。未来十年的年均两位数添加率，到2029年将超越50亿美元。

  现在氮化镓器材有三分之二使用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等范畴；在民用范畴，氮化镓首要被使用于通讯基站、功率器材等范畴。基站建造将是氮化镓商场生长的首要驱动力之一。全球每年新建约150万座基站，未来5G网络还将弥补掩盖区域更小、散布愈加密布的微基站，对氮化镓器材的需求量将大幅添加。

  此外，国防商场在曩昔几十年里一直是氮化镓开发的首要驱动力，现在已用于新一代空中和地上雷达。跟着5G高频通讯的商业化，氮化镓将在电信宏基站、真空管在雷达和航空电子使用中占有更多比例。再者氮化镓快充带动工业链中游功率芯片放量。

  现在，我国在光电大部分范畴完成领跑，而在功率器材及射频器材方面的开展还处于跟跑和并跑阶段，因而，我国对第三代半导体器材的研讨极端火急，需加速其工业开展。

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